Load /tmp/tmp.vjbgZ10456/jabref-2.2~b2 into
[debian/jabref.git] / src / java / tests / net / sf / jabref / imports / IsiImporterTestInspec.isi
1 FN ISI Export Format
2 VR 1.0
3 PT J
4 AN 9027814
5 DT Journal Paper
6 TI Second harmonic generation of continuous wave ultraviolet light and
7    production of beta -BaB/sub 2/O/sub 4/ optical waveguides
8 AU Degl'Innocenti, R.
9    Guarino, A.
10    Poberaj, G.
11    Gunter, P.
12 SO Applied Physics Letters
13 PY 2006
14 PD 07 2006
15 VL 89
16 IS 4
17 JI Appl. Phys. Lett. (USA)
18 BP 41103-1
19 EP 41103-41103-3
20 PS 41103-1-3
21 LA English
22 AB We report on the generation of continuous-wave (cw) ultraviolet (UV)
23    laser light at lambda =278 nm by optical frequency doubling of visible
24    light in beta -BaB/sub 2/O/sub 4/ waveguides. Ridge-type waveguides
25    were produced by He/sup +/ implantation, photolithography masking, and
26    plasma etching. The final waveguides have core dimension of a few mu
27    m/sup 2/ and show transmission losses of 5 dB/cm at 532 nm and less
28    than 10 dB/cm at 266 nm. In our first experiments, a second harmonic
29    power of 24 mu W has been generated at 278 nm in an 8 mm long waveguide
30    pumped by 153 mW at 556 nm.
31 DE Experimental/ barium compounds; ion implantation; optical harmonic generation;
32    optical losses; optical pumping; photolithography; solid lasers;
33    sputter etching; ultraviolet sources; waveguide lasers/ second harmonic generation; continuous-wave light; beta -BaB/sub
34    2/O/sub 4/ optical waveguides; UV laser light; optical frequency
35    doubling; visible light; ridge-type waveguides; He/sup +/ implantation;
36    photolithography masking; plasma etching; transmission losses; optical
37    pumping; 278 nm; 532 nm; 266 nm; 24 muW; 8 mm; 153 mW; 556 nm; BaB/sub
38    2/O/sub 4// A4265K Optical harmonic generation, frequency conversion, parametric
39    oscillation and amplification
40    A4255R Lasing action in other solids
41    A4260B Design of specific laser systems
42    B4340K Optical harmonic generation, frequency conversion, parametric
43    oscillation and amplification
44    B4320G Solid lasers/ wavelength 2.78E-07 m; wavelength 5.32E-07 m; wavelength 2.66E-07 m;
45    power 2.4E-05 W; size 8.0E-03 m; power 1.53E-01 W; wavelength 5.56E-07 m/ BaB2O4/ss B2/ss Ba/ss O4/ss B/ss O/ss
46 C1 Degl'Innocenti, R.; Guarino, A.; Poberaj, G.; Gunter, P.; Nonlinear
47    Opt. Lab., Inst. of Quantum Electron., Zurich, Switzerland
48 PU AIP
49 PV USA
50 NR 11
51 CO APPLAB
52 SN 0003-6951
53 ID 0003-6951/2006/89(4)/041103-1(3)/$23.00],[0003-6951(20060724)89:4L.41103:SHGC;1-T],[S0003-6951(06)22430-6],[10.1063/1.2234275]
54 UT INSPEC:9027814
55 ER
56
57 PT J
58 AN 9023788
59 DT Journal Paper
60 TI Optical and photoelectric spectroscopy of photorefractive Sn/sub 2
61    /P/sub 2/S/sub 6/ crystals
62 AU Gamernyk, R.V.
63    Gnatenko, Yu.P.
64    Bukivskij, P.M.
65    Skubenko, P.A.
66    Slivka, V.Y.
67 SO Journal of Physics: Condensed Matter
68 PY 2006
69 PD 06 2006
70 VL 18
71 IS 23
72 JI J. Phys., Condens. Matter. (UK)
73 BP 5323
74 EP 5331
75 PS 5323-31
76 LA English
77 AB Low-temperature studies of the absorption, photoluminescence,
78    photodiffusion and photoconductivity spectra of Sn/sub 2/P/sub 2 /S/sub
79    6/ crystals were carried out in the wide spectral range 0.8-3.5 eV. The
80    position of defect energy levels relative to the crystal energy bands
81    has been determined. It was shown that the photoionization transitions
82    from the valence band to the level with the energy E/sub v /+1.35 eV
83    are caused by the presence of the hole metastable state. In the optical
84    and photoelectric spectra several bands were revealed with energy
85    greater than the band gap of the crystal (E/sub g/ = 2.5 eV). It was
86    established that these bands are caused by the optical transitions
87    between the valence band and upper conduction bands. It was shown that
88    the electron-hole recombination, caused by the band-to-band transitions
89    with the participation of the upper conduction subbands, is fast and
90    corresponds to the nanosecond region. The combined scheme of the defect
91    energy level and the band-to-band electronic phototransitions in Sn/sub
92    2/P/sub 2/S/sub 6/ crystals was constructed. A mechanism for the
93    photorefractive effect in these crystals is proposed.
94 DE Experimental/ conduction bands; defect states; electron-hole recombination; infrared
95    spectra; metastable states; photoconductivity; photoionisation;
96    photoluminescence; photorefractive effect; ternary semiconductors; tin
97    compounds; ultraviolet spectra; valence bands; visible spectra/ photoelectric spectroscopy; optical spectroscopy; photorefractive
98    Sn/sub 2/P/sub 2/S/sub 6/ crystals; low-temperature studies; absorption
99    spectra; photoluminescence spectra; photodiffusion; photoconductivity
100    spectra; defect energy levels; crystal energy bands; photoionization
101    transitions; valency band; hole metastable state; photoelectric
102    spectra; band gap; optical transitions; conduction bands; electron-hole
103    recombination; band-to-band transitions; upper conduction subbands;
104    nanosecond region; defect energy-level; band-to-band electronic
105    phototransitions; mechanism; photorefractive effect; 0.8 to 3.5 eV;
106    Sn/sub 2/P/sub 2/S/sub 6// A7820W Other optical properties of condensed matter
107    A7855H Photoluminescence in other inorganic materials
108    A7240 Photoconduction and photovoltaic effects; photodielectric effects
109    A7155H Impurity and defect levels in other nonmetals
110    A7830G Infrared and Raman spectra in inorganic crystals
111    A7840H Visible and ultraviolet spectra of other nonmetals/ electron volt energy 8.0E-01 to 3.5E+00 eV/ Sn2P2S6/ss Sn2/ss P2/ss S6/ss Sn/ss P/ss S/ss
112 C1 Gamernyk, R.V.; Lviv Nat. Univ., Ukraine
113 PU IOP Publishing
114 PV UK
115 NR 18
116 CO JCOMEL
117 SN 0953-8984
118 ID 0953-8984/06/235323+09$30.00],[0953-8984(20060614)18:23L.5323:OPSP;1-Y],[S0953-8984(06)16823-X],[10.1088/0953-8984/18/23/006]
119 UT INSPEC:9023788
120 ER
121
122 EF