Load /tmp/tmp.vjbgZ10456/jabref-2.2~b2 into
[debian/jabref.git] / src / java / tests / net / sf / jabref / imports / IsiImporterTestWOS.isi
1 FN ISI Export Format
2 VR 1.0
3 PT J
4 AU Gamernyk, RV
5    Gnatenko, YP
6    Bukivskij, PM
7    Skubenko, PA
8    Slivka, VY
9 TI Optical and photoelectric spectroscopy of photorefractive Sn2P2S6
10    crystals
11 SO JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
12 LA English
13 DT Article
14 ID ELECTRIC-FIELD
15 AB Low-temperature studies of the absorption, photoluminescence,
16    photodiffusion and photoconductivity spectra of Sn2P2S6 crystals were
17    carried out in the wide spectral range 0.8-3.5 eV. The position of
18    defect energy levels relative to the crystal energy bands has been
19    determined. It was shown that the photoionization transitions from the
20    valence band to the level with the energy E-v + 1.35 eV are caused by
21    the presence of the hole metastable state. In the optical and
22    photoelectric spectra several bands were revealed with energy greater
23    than the band gap of the crystal (E-g = 2.5 eV). It was established
24    that these bands are caused by the optical transitions between the
25    valence band and upper conduction bands. It was shown that the
26    electron-hole recombination, caused by the band-to-band transitions
27    with the participation of the upper conduction subbands, is fast and
28    corresponds to the nanosecond region. The combined scheme of the defect
29    energy level and the band-to-band electronic phototransitions in
30    Sn2P2S6 crystals was constructed. A mechanism for the photorefractive
31    effect in these crystals is proposed.
32 C1 NAS Ukraine, Inst Phys, UA-03028 Kiev, Ukraine.
33    Lviv Natl Univ, UA-29005 Lvov, Ukraine.
34 RP Gnatenko, YP, NAS Ukraine, Inst Phys, 46 Prospect Nauky, UA-03028 Kiev,
35    Ukraine.
36 EM gnatenko@iop.kiev.ua
37 CR BERCHA DM, 1997, FIZ TVERD TELA, V39, P1219
38    BRAVINA SL, 1997, FERROELECTRICS, V192, P197
39    CARPENTIER CD, 1974, MAT RES B, V9, P401
40    ENJALBERT R, 1999, EUR PHYS J B, V8, P169
41    FENCHAK VY, 1997, FERROELECTRICS, V192, P129
42    GNATENKO YP, 2003, J APPL PHYS, V94, P4896
43    GRABAR AA, 1997, FERROELECTRICS, V192, P155
44    GRABAR AA, 2001, OPT COMMUN, V188, P187
45    HLINKA J, 2002, PHYS REV B, V65
46    KEDYULICH VM, 2001, FERROELECTRICS, V254, P243
47    KITYK IV, 1995, FIZ TEKH POLUPROV, V29, P697
48    KUEPPER E, 2003, PHYS REV B, V67
49    LUPASCU DC, 2006, J AM CERAM SOC, V89, P224
50    ODOULOV SG, 1996, J OPT SOC AM B, V13, P2352
51    PETROV MP, 1990, J APPL PHYS, V68, P2216
52    RUEDIGER A, 2001, OPT MATER, V18, P123
53    SHUMELYUK A, 2001, APPL PHYS B-LASERS O, V72, P707
54 NR 17
55 TC 0
56 PU IOP PUBLISHING LTD
57 PI BRISTOL
58 PA DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL BS1 6BE, ENGLAND
59 SN 0953-8984
60 J9 J PHYS-CONDENS MATTER
61 JI J. Phys.-Condes. Matter
62 PD JUN 14
63 PY 2006
64 VL 18
65 IS 23
66 BP 5323
67 EP 5331
68 PG 9
69 SC Physics, Condensed Matter
70 GA 057JR
71 UT ISI:000238592600006
72 ER
73
74 PT J
75 AU Guarino, A
76    Jazbinsek, M
77    Herzog, C
78    Degl'Innocenti, R
79    Poberaj, G
80    Gunter, P
81 TI Optical waveguides in Sn2P2S6 by low fluence MeV He+ ion implantation
82 SO OPTICS EXPRESS
83 LA English
84 DT Article
85 ID REFRACTIVE-INDEX PROFILES; INFRARED WAVELENGTHS; PHASE-CONJUGATION;
86    KNBO3; MODES
87 AB Planar waveguides in nonlinear optical crystals of Sn2P2S6 have been
88    produced by He+ ion implantation. The effective indices of the
89    waveguide have been determined and refractive index profiles have been
90    evaluated for the indices along all three principal axes of the optical
91    indicatrix. The depth of the induced optical barrier is. Delta n(1) = -
92    0.07, Delta n(2) = - 0.07 and Delta n(3) = - 0.09 lambda = 0.633 mu m
93    for a fluence Phi = 0.5 x 10(15) ions/cm(2). Propagation losses for
94    hybrid-n(1) modes are alpha similar or equal to 10dB/cm. (c) 2006
95    Optical Society of America.
96 C1 ETH, Inst Quantum Elect, Nonlinear Opt Lab, CH-8093 Zurich, Switzerland.
97 RP Guarino, A, ETH, Inst Quantum Elect, Nonlinear Opt Lab, CH-8093 Zurich,
98    Switzerland.
99 EM guarino@phys.ethz.ch
100 CR BACH T, 2005, OPT EXPRESS, V13, P9890
101    CHANDLER PJ, 1986, OPT ACTA, V33, P127
102    CHIANG KS, 1985, J LIGHTWAVE TECHNOL, V3, P385
103    DEROSSI A, 2005, J APPL PHYS, V97
104    FLUCK D, 1992, FERROELECTRICS, V128, P79
105    FLUCK D, 1993, J APPL PHYS, V74, P6023
106    GUARINO A, 2005, OPT LETT, V18, P2412
107    HAERTLE D, 2005, OPT EXPRESS, V13, P2047
108    HAERTLE D, 2005, OPT EXPRESS, V13, P3765
109    JAZBINSEK M, 2005, J OPT SOC AM B, V22, P2459
110    MALDONADO TA, 1996, J LIGHTWAVE TECHNOL, V14, P486
111    MARCUSE D, 1978, IEEE J QUANTUM ELECT, V14, P736
112    TOWNSEND PD, 1994, OPTICAL EFFECTS ION
113    YARIV A, 1984, OPTICAL WAVES CRYSTA
114    ZHA M, 1993, OPT LETT, V18, P577
115 NR 15
116 TC 0
117 PU OPTICAL SOC AMER
118 PI WASHINGTON
119 PA 2010 MASSACHUSETTS AVE NW, WASHINGTON, DC 20036 USA
120 SN 1094-4087
121 J9 OPT EXPRESS
122 JI Opt. Express
123 PD MAR 20
124 PY 2006
125 VL 14
126 IS 6
127 BP 2344
128 EP 2358
129 PG 15
130 SC Optics
131 GA 024NR
132 UT ISI:000236202800037
133 ER
134
135 EF